[发明专利]功率封装模块及制造该功率封装模块的方法无效
申请号: | 201110173436.7 | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN102468249A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 张范植 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34;H01L23/492;H01L25/07;H01L21/60;H01L21/98 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 桑传标;周建秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 在此公开了一种功率封装模块及制造该功率封装模块的方法,包括:基底;多个高功率芯片和多个低功率芯片,该多个高功率芯片和多个低功率芯片电连接到所述基底;以及多个金属导板,该多个金属导板将所述多个高功率芯片和所述多个低功率芯片电连接到所述基底。 | ||
搜索关键词: | 功率 封装 模块 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种功率封装模块,该功率封装模块包括:基底;多个高功率芯片,该多个高功率芯片安装在所述基底上,从而电连接到所述基底;多个低功率芯片,该多个低功率芯片安装在所述基底上,从而电连接到所述基底;以及多个金属导板,该多个金属导板将所述多个高功率芯片和所述多个低功率芯片电连接到所述基底。
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