[发明专利]垂直式有机薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明揭露一种垂直式有机薄膜晶体管及其制作方法，该垂直式有机薄膜晶体管包含一源极层、一第一图案化绝缘层、一图案化闸极层、一第二图案化绝缘层、一有机半导体层及一汲极层。该第一图案化绝缘层设置于源极层上。该图案化闸极层对应设置于该第一图案化绝缘层上。该第二图案化绝缘层具有一预定厚度，该第二图案化绝缘层覆盖于该图案化闸极层，并暴露出该源极层的局部表面。该有机半导体层覆盖于该第二图案化绝缘层及该局部表面。该汲极层设置于该有机半导体层上。

主权项

一种垂直式有机薄膜晶体管，其特征在于，包含：一基板；一源极层，设置于该基板表面；一第一图案化绝缘层，设置于该源极层上，并暴露出该源极层的一局部表面；一图案化闸极层，对应设置于该第一图案化绝缘层上；一第二图案化绝缘层，具有一预定厚度，该第二图案化绝缘层覆盖于该图案化闸极层及该第一图案化绝缘层，并暴露出该局部表面；一有机半导体层，覆盖于该第二图案化绝缘层及该局部表面；以及一汲极层，设置于该有机半导体层上，其中该有机半导体层作为该源极层和汲极层之间的一垂直通道。