[发明专利]一种制备氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的方法

摘要

一种制备氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的方法，它有六大步骤：一、将载有金属镓的SiC衬底放于管式炉中的加热区域升温；二温度到达500℃之前，给炉内通入氩气，并继续加热升温至900-1000℃时，保温1-3小时；三、冷却至室温，得到白色絮状的氧化镓Ga2O3一维亚微米结构；四、在显微镜下，利用半导体探针将已制好的在SiC基底上的Ga2O3一维亚微米结构单根或者多根挑出并置于传感器基底上；五、将该传感器基底上的全部Ga2O3一维亚微米结构固定，并利用磁控溅射或热蒸发镀膜装置蒸镀Au或Ag制作电极；六、将制作好的电极连接导线，并使用专用胶水进行封装，保证导线，电极和Ga2O3一维亚微米结构的良好接触。本发明工艺简单，成本低廉，可以大量制备。

主权项

一种制备氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：步骤一：首先将金属镓放于SiC衬底上，然后将载有金属镓的SiC衬底放于管式炉中的加热区域，常压下封闭管式炉两端；开始升温，加热区域升温速率控制在10℃/min；步骤二：在加热区域的温度到达500℃之前，给管式炉内通入流量为100ml/分钟的氩气，并继续加热；待温度升至900‑1000℃时，开始保温1‑3小时；步骤三：冷却至室温，即得到白色絮状产物——氧化镓Ga2O3一维亚微米结构；步骤四：在显微镜下，利用半导体探针将已经制备成功的在SiC基底上的Ga2O3一维亚微米结构单根或者多根挑出并置于传感器基底上；步骤五：将该传感器基底上的全部Ga2O3一维亚微米结构利用金属掩模压实在基底上并固定，并利用磁控溅射或者热蒸发镀膜装置蒸镀Au或Ag制作电极；步骤六：将已经制作好的电极连接导线，并使用半导体器件封装专用胶水进行封装，保证导线，电极和Ga2O3一维亚微米结构的良好接触，此即完成氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的制备。