[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110174754.5 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102856276A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。常规上，在使用填充材料在衬底中形成伪通孔的情况下，难以获得高质量的导电材料通孔。根据本发明，在形成贯穿孔的过程中，使用各向同性蚀刻以形成近似于烧瓶状的孔，从而形成的贯穿孔在与用于形成功能器件的表面相反的表面处的开口比该贯穿孔在该用于形成功能器件的表面处的开口大。通过利用本发明，能够容易地将导电材料填充到所形成的贯穿孔中，以形成质量改善的导电材料通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有用于在其上形成功能器件的第一表面和与该第一表面相反的第二表面；其中，所述衬底具有贯穿该衬底的第一表面和第二表面的贯穿孔，所述贯穿孔在所述第二表面的开口比该贯穿孔在所述第一表面的开口大。
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