[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110176922.4 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102299182A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 金宰湖 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/205;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括栅极电极；源极电极和漏极电极，在垂直方向上与栅极电极隔开并且在水平方向上彼此隔开；栅极绝缘层，设置在栅极电极与源极电极和漏极电极之间；有源层，设置在栅极绝缘层与源极电极和漏极电极之间。该有源层由导电氧化层形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅极电极；源极电极和漏极电极，在垂直方向上与所述栅极电极隔开并且在水平方向上彼此隔开；栅极绝缘层，设置在所述栅极电极与所述源极电极和漏极电极之间；有源层，设置在所述栅极绝缘层与所述源极电极和漏极电极之间，其中有源层由导电氧化层形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。
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