[发明专利]基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件无效
| 申请号： | 201110177226.5 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102222686A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 林曦;王玮;王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底上的源极、漏极、源掺杂区、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构成一个MIS结构；还包括：栅绝缘体层以及位于所述栅绝缘体层之上围绕MIS结构一周的栅极。本发明采用平台工艺制作了一种基于量子隧穿效应的围栅型栅控金属-绝缘体器件，所述栅极围绕所述金属-绝缘体结构一周，用于增强栅极的控制能力，同时通过对围栅型栅控金属-绝缘体器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，减小漏电流电流，提高亚阈值摆幅性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电子 围栅型栅控 金属 绝缘体 器件 | ||
【主权项】：
一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属‑绝缘体器件，包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底之上形成的源极；位于所述半导体衬底之上形成的漏极；位于所述半导体衬底内靠近源极的具有第二种掺杂类型的源掺杂区；位于所述半导体衬底表面形成的隧穿绝缘体层；位于隧穿绝缘体层之上形成的金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与所述半导体衬底构成一个MIS结构；其特征在于，还包括：覆盖所述半导体衬底与所述MIS结构形成的栅绝缘体层；位于所述栅绝缘体层之上围绕所述MIS结构一周形成的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110177226.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种磁共振成像中使用微量注射泵的防磁箱
- 下一篇：一种塑料中空板周转箱
- 同类专利
- 专利分类
