[发明专利]一种SnO2花状结构纳米材料及其水热制备方法

摘要

本发明公开了一种SnO2花状结构纳米材料及其制备方法：将SnCl4·5H2O和NaOH分别溶于去离子水；将SnCl4溶液在4~25℃条件下搅拌，将NaOH溶液滴入，得到锡离子浓度为0.1mol/L~0.3mol/L，氢氧根浓度为0.9mol/L~3.3mol/L，氢氧根离子与锡离子摩尔浓度之比为9~11：1的前驱体溶液；将前驱体溶液转移到反应釜中密封，反应釜的填充度为70%，在190℃~200℃下保温8~12h；反应结束后降至室温，将反应所得产物用去离子水和无水乙醇反复洗涤并过滤，直到滤液pH=7，在60℃下烘干过滤后的产物，得到花状结构SnO2纳米材料。该产物形态为三维花状纳米线簇，具体地说，花蕾是由共球心沿半径方向排列的、单晶SnO2纳米线构成，纳米线的直径为90~400nm，长度为950~1200nm，长径比为3.00~10.56。

主权项

一种SnO2花状结构纳米材料，其特征在于，该材料为三维花状纳米线簇，其花蕾由共球心沿半径方向排列的单晶SnO2纳米线构成，所述纳米线直径为90~400nm，纳米线长度为950~1200nm，纳米线长径比为3.00~10.56。