[发明专利]一种太阳能光伏电池片烧结的工艺方法无效
| 申请号： | 201110177339.5 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102237449A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李钊明 | 申请（专利权）人： | 上海久能能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201314 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种太阳能光伏电池片烧结的工艺方法。其特征在于：在网带运动过程中，采用常温-全波远红外波连续辐射-常温的烧结工艺，工艺过程中炉膛输入呈正压的保护气体。本工艺与利用石英管作发热元件的烧结炉工艺相比，工艺简单，烧结质量好，采用辐射元件辐射加热的工艺，形成的烧结炉结构相对简单，缩减长度2/3，维修方便，降低了投资成本。由于采用辐射元件，节电70%，节约了不可再生资源。同时，提高了太阳能光伏电池的转换率1-2百分点，符合国家的产业政策。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能 电池 烧结 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能光伏电池片烧结的工艺方法，其特征在于：在网带运动过程中,采用常温‑全波远红外波连续辐射‑常温的烧结工艺，工艺过程中炉膛输入呈正压的保护气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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