[发明专利]蓄电装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110177490.9 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102315431B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M4/134;H01M4/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的之一在于提供一种具有在硅层中引入有锂的电极的蓄电装置及其制造方法。通过在集电体上形成硅层，在硅层上涂敷含有锂的溶液，并进行热处理，可以对硅层中至少引入锂。通过利用含有锂的溶液，即使使用由多个硅微粒形成的硅层，含有锂的溶液也进入微粒和微粒之间的缝隙，从而可以对与含有锂的溶液接触的硅微粒引入锂。另外，即使在使用薄膜硅作为硅层的情况，或者在使用包括多个须状物或须状物群的硅层的情况，也可以均匀地涂敷溶液，从而可以容易地使硅中含有锂。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种蓄电装置的制造方法，包括以下步骤：在集电体上形成硅层；在所述硅层上涂敷含有锂和有机物质的溶液；以及进行热处理，从而对所述硅层中引入锂并形成附连到所述硅层的表面的碳层，其中，所述热处理在500℃以上且700℃以下的温度执行，并且，通过所述热处理，所述硅层的一个表面具有比所述硅层的更靠近所述集电体一侧更高的锂浓度。
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