[发明专利]制造垂直PIN型二极管的方法及垂直PIN型二极管

摘要

制造垂直PIN型二极管的方法及垂直PIN型二极管，本方法包括：提供包括垂直地堆叠的N型层、本征层及P型层的外延晶片；通过在P型层的限定阳极区域的第一部分上形成阳极敷金属来形成二极管的阳极触点；围绕阳极区域形成电绝缘层，从而使得本征层的第一部分在N型层与阳极区域之间垂直地延伸，并使得本征层的第二部分在N型层与电绝缘层之间垂直地延伸；在电绝缘层中且在本征层的第二部分中形成沟槽，从而使N型层的限定阴极区域的一部分暴露，并限定由电绝缘层的在沟槽与阳极区域之间侧向地延伸的且侧向地环绕所述阳极区域的一部分构成的牺牲性侧保护环；以及通过在N型层的限定阴极区域的暴露部分上形成阴极敷金属来形成二极管的阴极触点。

主权项

一种制造垂直PIN型二极管(30)的方法，包括：提供包括垂直地堆叠的N型层(32)、本征层(33)以及P型层(34)的外延晶片；以及通过在所述P型层(34)的限定阳极区域的第一部分(34a)上形成阳极敷金属(35)来形成所述垂直PIN型二极管(30)的阳极触点；其特征在于，进一步包括：围绕所述阳极区域(34a)形成电绝缘层(36)，从而使得所述本征层(33)的第一部分在所述N型层(32)与所述阳极区域(34a)之间垂直地延伸，并从而使得所述本征层(33)的第二部分在所述N型层(32)与所述电绝缘层(36)之间垂直地延伸；在所述电绝缘层(36)中且在所述本征层(33)的所述第二部分中形成沟槽(38)，从而使所述N型层(32)的限定阴极区域的一部分暴露，并从而限定由所述电绝缘层(36)的在所述沟槽(38)与所述阳极区域(34a)之间侧向地延伸的且侧向地环绕所述阳极区域(34a)的一部分构成的牺牲性侧保护环(36a)；以及通过在所述N型层(32)的限定所述阴极区域的暴露部分上形成阴极敷金属(39)来形成所述垂直PIN型二极管(30)的阴极触点。