[发明专利]阻止过镀的双层薄膜及其制备方法和应用

摘要

一种阻止过镀的双层薄膜，其紧邻硅衬底前表面的一层为氧化硅或氮化硅薄层，在所述的氧化硅或氮化硅薄层上面的一层为含碳的硅氧化合物薄层，所述的含碳的硅氧化合物薄层中碳的原子含量为5-10％，折射系数为1.3-1.4，厚度为20-200nm。所述的双层薄膜制备方法，在清洗后的硅衬底的前表面沉积氧化硅或氮化硅薄层，再在薄层上喷涂或者旋涂聚硅氧烷基电介质溶液，经退火得到所述的双层薄膜。包括所述的双层薄膜的硅太阳能电池，从其太阳光照射面，即前表面起向下排列顺序依次为：双层薄膜、前电极、n+发射极、p型硅区域、局域背电场p+、背电极。

主权项

一种阻止过镀的双层薄膜，其特征在于：所述的双层薄膜中，紧邻硅衬底前表面的一层为氧化硅或氮化硅薄层，在所述的氧化硅或氮化硅薄层上面的一层为含碳的硅氧化合物薄层，所述的含碳的硅氧化合物薄层中碳的原子含量为5‑10％。