[发明专利]成膜装置无效
| 申请号： | 201110177715.0 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102312207A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 楠敏明;三宅龙也;山本健一;玉腰武司 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种成膜装置。在薄膜有机EL材料之上进行低损坏且高速的溅射成膜而不会使成膜装置大型化。将磁控管等离子体(20)封闭在可动式屏蔽电极(13)内，所述可动式屏蔽电极(13)在靶材料11侧为开口、在基板侧具有在关闭面内使溅射粒子通过的缝隙，使可动式屏蔽电极(13)和磁控管(17)同时扫描，以进行针对下层膜的损坏较少的成膜，之后，仅仅磁控管(17)扫描以进行利用磁控管等离子体的高速成膜。据此，就能够进行对下层膜损坏较少、且高速的成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
一种作为摆动式磁控管溅射装置的成膜装置，在真空槽内将在第1面配置了靶材料的靶电极和在第1面配置了基板的基板电极相对配置，借助于在上述靶电极的第2面上所配置的磁控管在上述靶材料的一部分发生磁控管等离子体，通过使上述磁控管在上述靶电极的第2面上扫描，对上述靶电极材料进行溅射并在上述基板上成膜靶材料，所述成膜装置的特征在于：在与上述靶材料之间配置用于封闭磁控管等离子体的可动式屏蔽电极，上述可动式屏蔽电极的上述靶材料侧为开口并且在上述基板侧具有在封闭面内使来自磁控管等离子体的溅射粒子通过的缝隙，对上述基板的成膜是首先使上述磁控管和上述可动式屏蔽电极同步进行溅射成膜，接下来使可动式屏蔽电极在靶区域外进行待机，使磁控管进行扫描以进行溅射成膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立高新技术，未经株式会社日立高新技术许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110177715.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：控制物理下行控制信道传输的方法和设备
- 下一篇：带有副驱动装置的船舶驱动设备
- 同类专利
- 专利分类
