[发明专利]一种疏水沉淀二氧化硅的制备方法有效
| 申请号： | 201110178448.9 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102286220A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 黄伟;吴飞;任意;杨有忠;曹添 | 申请（专利权）人： | 南京四新科技应用研究所有限公司 |
| 主分类号： | C09C1/28 | 分类号： | C09C1/28;C09C3/12;C09C3/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210037 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种将亲水沉淀二氧化硅进行疏水处理，制得疏水沉淀二氧化硅的方法。首先利用聚有机含氢硅氧烷、偶联剂和聚醚在酸性催化剂下发生聚合反应得到表面改性剂，然后对亲水沉淀二氧化硅在高速剪切下，进行疏水化处理，烘干，粉碎就得到蓬松的疏水沉淀二氧化硅。本发明的疏水沉淀二氧化硅具有粒径小，比表面积大，较低的吸水性等优点。可以在工程塑料、硅橡胶、粘合剂、染料、涂料、去泡沫剂、聚氨酯等领域中使用，在这些领域作为分散剂、填充剂、消泡剂使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 沉淀 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种疏水沉淀二氧化硅的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：(1)在30～120℃时向加入酸性催化剂的聚有机含氢硅氧烷中滴加偶联剂和聚醚，滴加时间为0.5～3h；(2)滴加完毕后，在80～150℃反应0.5～5h，即得表面改性剂；(3)将表面改性剂加入到沉淀二氧化硅母料中，常温下高速剪切0.5～5h；(4)将(3)得到的混合物压滤，然后在100～500℃时烘1～24h；(5)最后经粉碎机粉碎，即得。
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