[发明专利]减少表面电场的结构及横向扩散金氧半导体元件有效
| 申请号： | 201110178814.0 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102769037A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李宗晔;吴沛勋;黄湘文 | 申请（专利权）人： | 汉磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种减少表面电场的结构及横向扩散金氧半导体元件。此种减少表面电场的结构包括具有第一导电型的一基底、具有第二导电型的一深井区、一隔离结构、至少一沟渠绝缘结构及具有第一导电型的至少一掺杂区。深井区位于基底中。隔离结构位于基底上。沟渠绝缘结构位于隔离结构下方的深井区中。掺杂区位于深井区中且环绕沟渠绝缘结构的侧壁及底面。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 表面 电场 结构 横向 扩散 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金氧半导体元件，包括：具有一第一导电型的一基底；具有一第二导电型的一外延层，位于该基底上；具有该第一导电型的一井区，位于该外延层中；具有该第二导电型的一深井区，位于该外延层中；具有该第二导电型的一源极区，位于该井区中；具有该第二导电型的一漏极区，位于该深井区中；一隔离结构，位于该深井区上；一栅极，位于该漏极区以及该源极区之间的该外延层上并延伸至部分该隔离结构上；至少一沟渠绝缘结构，位于该隔离结构下方的该深井区中；以及具有该第一导电型的至少一掺杂区，位于该深井区中且环绕该沟渠绝缘结构的侧壁及底面。
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