[发明专利]一种肖特基二极管无效
| 申请号： | 201110179347.3 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102244106A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李惟一;茹国平;蒋玉龙;阮刚 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于整流器件技术领域，具体为一种肖特基二极管。本发明使用圆弧形状的沟槽，提升器件反向性能。本发明相对于传统产品，能耐受更大的反向电压，且在击穿前具有更小的漏电流，具有更高的正反向电流比，同时几乎不损失正向电流驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于该肖特基二极管的结构包括： 第一导电类型的重掺杂半导体构成的第一区域；第一金属构成的导电阴极，邻接于第一区域的下表面；第一导电类型的轻掺杂半导体构成的第二区域，覆盖于第一区域的上表面；两条竖直沟槽，相对地位于第二区域的左右两侧，沟槽底部呈现圆弧形状；第一种介质构成的第三区域，覆盖于前述的两条沟槽内除第二区域顶部平台外的第二区域的上表面；第二种金属构成的导电阳极，覆盖于第三区域的上表面，及第二区域未被第三区域覆盖的上表面。
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