[发明专利]一种集成化电场微传感器无效
| 申请号： | 201110179958.8 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102854402A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 陈新安;沈浩颋 | 申请（专利权）人： | 上海谷昊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12;B81B3/00 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 | 代理人： | 叶克英 |
| 地址： | 201506*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种n型集成化电场微传感器，包括耗尽型n沟道SOI直接栅电场微传感器ENMOS1和ENMOS2，其沟道长度、沟道宽度、沟道载流子浓度都相同，但沟道厚度不同，并将这两个器件按串联方式联接。检测电场时，电场微传感器ENMOS1和ENMOS2的沟道厚度的变化量相同，由于二者的初始沟道厚度不同，所以沟道电阻变化量不相同，输出电压随检测电场变化。由于电场微传感器ENMOS1和ENMOS2的工艺完全相同，并且是同时制备，所以当温度变化时，由于沟道迁移率随温度变化相同，所以二者的比值不随温度变化，抑制了温度漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成化 电场 传感器 | ||
【主权项】：
一种集成化电场微传感器，其特征在于：由两个耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管按串联方式组成，其沟道长度、沟道宽度、沟道载流子浓度都相同，沟道厚度各异，两个耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管由相同工艺集成在同一芯片上。
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