[发明专利]双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201110180062.1 申请日: 2011-06-30
公开(公告)号: CN102364692A 公开(公告)日: 2012-02-29
发明(设计)人: 盛健 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213031 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及太阳能电池生产技术领域,特别是一种双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池及其制作方法。该电池的结构为:在太阳能电池的正面和背面都形成钝化层,正面和背面的钝化层表面制备减反射层,在背面减反射层的表面制备可导电的透明导电膜,在电池片的正面和背板的预设区域通过电极引出电流。该电池的制作方法为:硅片绒面制备;硅片掺杂形成P-N结;背结刻蚀;正、背面钝化层制备;正、背面减反射层制备;背面透明导电膜沉积;正、背面电极制备;电池退火。本发明的有益效果是:在进行全钝化结构的基础上改变电池背表面结构,利用可导电的透明导电薄膜取代全钝化电池结构中的背面纯铝或者铝浆,同时具有纯铝或者铝浆收集电流的功能。
搜索关键词: 双面 钝化 结构 晶体 太阳能电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池,其特征是:在太阳能电池的正面和背面都形成钝化层(1),正面和背面的钝化层(1)表面制备减反射层(2),在背面减反射层(2)的表面制备可导电的透明导电膜(3),在电池片的正面和背板的预设区域通过电极(5)出电流。
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