[发明专利]双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 201110180062.1 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102364692A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 盛健 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池生产技术领域,特别是一种双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池及其制作方法。该电池的结构为:在太阳能电池的正面和背面都形成钝化层,正面和背面的钝化层表面制备减反射层,在背面减反射层的表面制备可导电的透明导电膜,在电池片的正面和背板的预设区域通过电极引出电流。该电池的制作方法为:硅片绒面制备;硅片掺杂形成P-N结;背结刻蚀;正、背面钝化层制备;正、背面减反射层制备;背面透明导电膜沉积;正、背面电极制备;电池退火。本发明的有益效果是:在进行全钝化结构的基础上改变电池背表面结构,利用可导电的透明导电薄膜取代全钝化电池结构中的背面纯铝或者铝浆,同时具有纯铝或者铝浆收集电流的功能。 | ||
搜索关键词: | 双面 钝化 结构 晶体 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池,其特征是:在太阳能电池的正面和背面都形成钝化层(1),正面和背面的钝化层(1)表面制备减反射层(2),在背面减反射层(2)的表面制备可导电的透明导电膜(3),在电池片的正面和背板的预设区域通过电极(5)出电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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