[发明专利]一种高频高Q值的片式多层陶瓷电容器有效
| 申请号： | 201110181054.9 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102394175A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 王艳红;宋子峰;祝忠勇 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 杨利娟 |
| 地址： | 526020 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高Q值的片式多层陶瓷电容器的制备方法，它包括瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序，所述的交替叠印内电极和介质层工序中，内电极材料是镍Ni，所述的封端工序中，端电极材料是铜Cu，其特征在于：在瓷浆制备中，所用的瓷料是Mg-Si-O3体系材料，K值为30±2，该体系瓷料的颗粒度球形体或似球形体，比表面积为4.5～11.0%；制作的片式多层陶瓷电容器具有优越的高Q电气性能，且可大大的降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 多层 陶瓷 电容器 | ||
【主权项】：
一种高Q值的片式多层陶瓷电容器的制备方法，它包括瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序，所述的交替叠印内电极和介质层工序中，内电极材料是镍Ni，所述的封端工序中，端电极材料是铜Cu，其特征在于：在瓷浆制备中，所用的瓷料是Mg‑Si‑O3体系材料，K值为30±2，该体系瓷料的颗粒度球形体或似球形体，比表面积为4.5～11.0%； 所述排胶工艺是使用氮气排胶箱排胶450℃/17小时；所述烧结温度800℃～1030℃，在800℃开始至最高温段的升温速率控制在3‑5℃/min；所述烧端最高温度是750～960℃。
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