[发明专利]LED磊晶结构无效
| 申请号： | 201110181775.X | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102856454A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 林雅雯;黄世晟;凃博闵;黄嘉宏;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的顶面。所述磊晶层包括一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层，所述第一、二N型磊晶层之间形成一个阻挡层，所述阻挡层具有图型化沟槽设置，使所述第一、二N型磊晶层通过所述沟槽接触连接。所述第二N型磊晶层上依序成长一个发光层、一个P型磊晶层以及一个导电层。本发明并提供所述LED磊晶结构的制程。 | ||
| 搜索关键词： | led 结构 | ||
【主权项】：
一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层，所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的顶面，其特征在于：所述磊晶层包括一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层，所述第一、二N型磊晶层之间形成一个阻挡层，所述阻挡层具有图型化沟槽设置，使所述第一、二N型磊晶层通过所述沟槽接触连接，所述第二N型磊晶层上依序成长一个发光层、一个P型磊晶层以及一个导电层。
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