[发明专利]像素结构及电性桥接结构

摘要

本发明公开一种像素结构及电性桥接结构，包括一薄膜晶体管元件、一绝缘层位于薄膜晶体管元件之上，以及一像素电极位于绝缘层上。薄膜晶体管元件包括一浮置导电垫位于一半导体层的一侧，并与一源/漏极电极电性连接。绝缘层具有一第一接触洞，部分暴露出浮置导电垫。像素电极经第一接触洞与浮置导电垫电性连接。

主权项

一种像素结构，其特征在于，设置于一基板上，该像素结构包括：一薄膜晶体管元件，位于该基板上，该薄膜晶体管元件包括一半导体层、一栅极电极、一栅极介电层、源极与漏极电极以及一浮置导电垫：该半导体层位于该基板上；该栅极电极位于该基板上；该栅极介电层位于该半导体层与该栅极电极之间；所述两个源/漏极电极位于该基板上并分别对应于该半导体层的两相对侧；以及该浮置导电垫位于该基板上并位于该半导体层的一侧，其中该浮置导电垫与该两源/漏极电极的其中一者电性连接；一绝缘层，位于该薄膜晶体管元件之上，其中该绝缘层具有一第一接触洞，部分暴露出该浮置导电垫；以及一像素电极，位于该绝缘层上并经该第一接触洞与该浮置导电垫电性连接。