[发明专利]干蚀刻装置无效
| 申请号： | 201110183533.4 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102290328A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 崔钟龙 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/32;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种干蚀刻装置，其能够在基板表面上形成均匀的图案，用于通过利用等离子体蚀刻至少一个基板的干蚀刻装置，包括：放置于腔室内部的托盘上的至少一个基板；基座，设置在腔室内部同时对着至少一个基板，用于提供高频电能从而形成等离子体；接地部件，设置在基座的下面但不与基座接触；以及，绝缘部件，设置在基座和接地部件之间。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
一种干蚀刻装置，包括：腔室，用于在反应室中的基板的蚀刻工艺；基座，设置在所述腔室内以位于所述反应室下方，并且所述基座与高频电能供给设备电连接；以及接地部件，所述接地部件接地，并且所述接地部件被设置在所述基座的下方但不与所述基座电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
