[发明专利]多晶硅还原炉及其喷嘴无效
| 申请号： | 201110184279.X | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102311119A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 | 申请（专利权）人： | 中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100038*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅还原炉用喷嘴，包括：基座，所述基座内形成有第一进气腔；引流部，所述引流部与所述基座的上端相连且所述引流部内形成有第二进气腔，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和导流部，所述导流部与所述引流部的上端相连且所述引流部内形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。根据本发明实施例的多晶硅还原炉用喷嘴可以增加工艺气体流速且可以使工艺气体分布均匀。本发明还公开了一种具有上述喷嘴的多晶硅还原炉。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 及其 喷嘴 | ||
【主权项】：
一种多晶硅还原炉用喷嘴，其特征在于，所述多晶硅还原炉用喷嘴包括：基座，所述基座内形成有第一进气腔；引流部，所述引流部与所述基座的上端相连且所述引流部内形成有第二进气腔，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和导流部，所述导流部与所述引流部的上端相连且所述引流部内形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。
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