[发明专利]存储元件和存储装置无效
| 申请号： | 201110184419.3 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102376354A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 保田周一郎;清宏彰;河内山彰;紫牟田雅之;山田直美 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L45/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了能够改善对由所施加的电压引起的电阻变化的可控性的存储元件和存储装置。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括设置在所述第一电极侧的电阻变化层以及设置在所述第二电极侧的离子源层，且所述离子源层的电阻值高于所述电阻变化层的电阻值。所述电阻变化层的电阻值响应于由施加到所述第一电极和所述第二电极上的电压引起的组分变化而变化。所述存储装置包括脉冲施加单元和多个存储元件，所述脉冲施加单元选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲，各所述存储元件是本发明的上述存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，所述电阻变化层设置在所述第一电极侧；以及离子源层，所述离子源层设置在所述第二电极侧，且所述离子源层的电阻值高于所述电阻变化层的电阻值，并且，所述电阻变化层的电阻值响应于由施加到所述第一电极和所述第二电极上的电压引起的组分变化而变化。
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