[发明专利]封装结构及其制作方法有效
申请号: | 201110185302.7 | 申请日: | 2011-07-04 |
公开(公告)号: | CN102789991A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 孙世豪 | 申请(专利权)人: | 旭德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/34;H01L23/485 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种封装结构及其制作方法,该封装结构的制作方法包括,提供一具有彼此相对的上表面与下表面以及连通上表面与下表面的开口的基材。配置一电子元件于开口中。压合一粘着层及一位于粘着层上的图案化金属层于基材的下表面上。粘着层与图案化金属层暴露出电子元件的底表面。形成一散热柱于粘着层与图案化金属层所暴露出电子元件的底表面上。散热柱连接图案化金属层与电子元件的底表面。分别压合第一叠层结构及第二叠层结构于基材的上表面上与图案化金属层上。第一叠层结构覆盖基材的上表面与电子元件的一顶表面。第二叠层结构覆盖散热柱与图案化金属层。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种封装结构的制作方法,包括:提供一基材,该基材具有彼此相对的上表面与下表面以及连通该上表面与该下表面的开口;配置一电子元件于该基材的于该开口中;压合一粘着层及一位于该粘着层上的图案化金属层于该基材的该下表面上,其中该粘着层与该图案化金属层暴露出该电子元件的底表面;形成一散热柱于该粘着层与该图案化金属层所暴露出该电子元件的该底表面上,其中该散热柱连接该图案化金属层与该电子元件的该底表面;以及分别压合一第一叠层结构及一第二叠层结构于该基材的该上表面上与该图案化金属层上,其中该第一叠层结构覆盖该基材的该上表面与该电子元件的顶表面,而该第二叠层结构覆盖该散热柱与该图案化金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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