[发明专利]反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺无效
申请号: | 201110185313.5 | 申请日: | 2011-07-04 |
公开(公告)号: | CN102315317A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 张映斌;钟明 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池制作方法领域,特别是一种反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺,该方法为:表面预处理后,硅片扩散形成扩散层,然后在硅片表面通过反应离子刻蚀在扩散层上形成微小绒面,印刷阻挡层,并通过局部湿法回蚀后形成重掺杂区与低掺杂区,最后在重掺杂区印刷电极,烧结,完成电池片制备。本发明的有益效果是:通过本发明可解决反应离子刻蚀制绒工艺造成扩散不均匀的问题,同时结合一次扩散选择性发射极工艺,提高短波响应,进一步增加光吸收,获得更高的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 反应 离子 刻蚀 结合 选择性 发射极 太阳能电池 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺,其特征是:表面预处理后,硅片扩散形成扩散层,然后在硅片表面通过反应离子刻蚀在扩散层上形成微小绒面,印刷阻挡层,并通过局部湿法回蚀后形成重掺杂区与低掺杂区,最后在重掺杂区印刷电极,烧结,完成电池片制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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