[发明专利]半导体衬底上的键合接触部位有效
| 申请号： | 201110186013.9 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315189A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | H-G·齐默尔;P·施通普夫 | 申请（专利权）人： | 迈克纳斯公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/522;H01L23/485 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在半导体衬底(2)上的具有增强结构(10)的键合接触部位(1)，包括：至少一个设置在半导体衬底(2)上的导电材料层(3)，用于接收具有图案的增强结构(10)；一个构成为具有键合面的键合接触层的、设置在导电材料层(3)上的金属层(4)，其中，在键合面(5)下面设置至少一个约2μm厚的氧化层，该氧化层伸出超过键合面(5)的边缘，增强结构(10)位于氧化层(14)中，从上方向键合面(5)看去在键合面(5)以外在氧化层(14)内部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 接触 部位 | ||
【主权项】：
在半导体衬底(2)上的具有增强结构(10)的键合接触部位(1)，包括：至少一个设置在所述半导体衬底(2)上的第一金属层(3)，用于接收具有图案的增强结构(10)，一个作为具有键合面(键合垫)(5)的键合接触层设置在所述第一金属层(3)上方的第三金属层(4)，在所述键合面(5)下方且在所述第一金属层(3)上方设置有一个绝缘层(14)，所述绝缘层伸出超过所述键合面(5)的边缘(5a)，其特征在于，从上方向所述键合面(5)看去，所述增强结构(10)在所述键合面(5)下方在所述第一金属层(3)内部构成，并且所述增强结构(10)包括介电的岛(11，12)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迈克纳斯公司，未经迈克纳斯公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110186013.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
