[发明专利]干法刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201110186102.3 申请日: 2011-07-05
公开(公告)号: CN102254812B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 汪新学;王伟军 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/768
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种干法刻蚀方法,在完成第一主刻蚀步骤之后,继续进行第一附加刻蚀步骤,所述第一附加刻蚀步骤中采用第一惰性气体,惰性气体难以离化成等离子体,从而在第一附加刻蚀步骤中将基本不发生刻蚀;此外,由于第一附加刻蚀步骤采用第一附加刻蚀射频功率,从而,在第一主刻蚀步骤完成后,采用的第一主刻蚀射频功率也不需要衰减到零瓦,即减小了第一主刻蚀射频功率衰减所引起的不期望的刻蚀,最终,减小了不期望的刻蚀,提高了刻蚀精度。
搜索关键词: 刻蚀 方法
【主权项】:
一种干法刻蚀方法,其特征在于,包括:依次进行的第一稳定步骤,第一主刻蚀步骤和第一附加刻蚀步骤,其中,所述第一稳定步骤提供第一准备刻蚀气体;所述第一主刻蚀步骤采用第一主刻蚀射频功率及第一刻蚀气体;所述第一附加刻蚀步骤采用第一附加刻蚀射频功率及第一惰性气体;其中,所述第一主刻蚀射频功率与所述第一附加刻蚀射频功率相同或所述第一附加刻蚀射频功率小于所述第一主刻蚀射频功率;第一惰性气体的流量与第一刻蚀气体的流量相同,第一惰性气体难以离化成等离子体,第一附加刻蚀步骤中不发生刻蚀。
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