[发明专利]干法刻蚀方法有效
申请号: | 201110186102.3 | 申请日: | 2011-07-05 |
公开(公告)号: | CN102254812B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 汪新学;王伟军 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种干法刻蚀方法,在完成第一主刻蚀步骤之后,继续进行第一附加刻蚀步骤,所述第一附加刻蚀步骤中采用第一惰性气体,惰性气体难以离化成等离子体,从而在第一附加刻蚀步骤中将基本不发生刻蚀;此外,由于第一附加刻蚀步骤采用第一附加刻蚀射频功率,从而,在第一主刻蚀步骤完成后,采用的第一主刻蚀射频功率也不需要衰减到零瓦,即减小了第一主刻蚀射频功率衰减所引起的不期望的刻蚀,最终,减小了不期望的刻蚀,提高了刻蚀精度。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种干法刻蚀方法,其特征在于,包括:依次进行的第一稳定步骤,第一主刻蚀步骤和第一附加刻蚀步骤,其中,所述第一稳定步骤提供第一准备刻蚀气体;所述第一主刻蚀步骤采用第一主刻蚀射频功率及第一刻蚀气体;所述第一附加刻蚀步骤采用第一附加刻蚀射频功率及第一惰性气体;其中,所述第一主刻蚀射频功率与所述第一附加刻蚀射频功率相同或所述第一附加刻蚀射频功率小于所述第一主刻蚀射频功率;第一惰性气体的流量与第一刻蚀气体的流量相同,第一惰性气体难以离化成等离子体,第一附加刻蚀步骤中不发生刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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