[发明专利]具有应力松弛机制的包括通孔的半导体器件有效
| 申请号： | 201110186544.8 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315183A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | T·赫伊辛加;M·格里贝格尔;J·哈恩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司;格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有应力松弛机制的包括通孔的半导体器件。在半导体器件中，可形成通孔或硅通孔(TSV)以包括有效的应力松弛机制，例如在应力松弛层的基础上提供，以降低或补偿因为通孔的导电填充材料的体积的显着变化所引起的应力力量。在这种方式下，传统半导体器件中产生裂缝和分层事件的高风险可显着降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 松弛 机制 包括 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有正面和背面；通孔，形成在该衬底中而延伸至至少该背面，该通孔包括与该衬底和含有金属的导电填充材料接触所形成的电介质层；以及应力松弛机制，形成与通孔接触，并且组构成降低通过该衬底和该导电填充材料之间的热膨胀系数的不匹配所引起的热应力。
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