[发明专利]用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物、组合物以及使用所述组合物形成半导体装置图案的方法有效
| 申请号： | 201110186570.0 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102329403A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 朴钟庆;韩万浩;金炫辰;金德倍 | 申请（专利权）人： | 株式会社东进世美肯 |
| 主分类号： | C08F220/22 | 分类号： | C08F220/22;C08F220/18;C08F220/28;C08F220/06;C08L33/16;C08L33/08;C08L33/14;C08L33/10;C08L33/02;G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物、用于形成抗蚀剂保护膜的组合物以及使用所述组合物形成半导体装置图案的方法，该聚合物用于液体浸没式光刻技术过程以保护光致抗蚀剂层。所述用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物包括由以下通式1所示的重复单元。通式1 |
||
| 搜索关键词： | 用于 形成 抗蚀剂 保护膜 聚合物 组合 以及 使用 半导体 装置 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物，其包括由以下通式1所示的重复单元：通式1![]()
其中R1是氢原子、氟原子、甲基基团、C1-C20氟烷基基团或C1-C5羟烷基基团，R2是C1-C10直链或支链烷撑基团或烷叉基团或C5-C10环烷撑基团或环烷叉基团，X是![]()
其中n是0到5的整数，且*表示所述通式1排除X后的剩余部分，m是X的化学计量系数，是1或2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东进世美肯，未经株式会社东进世美肯许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110186570.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
