[发明专利]多晶硅清洗方法在审
| 申请号： | 201110186651.0 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102251242A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王晓楠;侯俊峰;杨光军;胡永;李峰 | 申请（专利权）人： | 国电宁夏太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 753202 宁夏回族自治区石*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种多晶硅清洗方法，该方法包括：将多晶硅置于SC-1清洗液中对其进行第一次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行第一次漂洗；采用臭氧对所述多晶硅进行第一次干燥处理；将多晶硅置于硝酸和氢氟酸的混合溶液中对其进行第二次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行第二次漂洗。本发明所提供的多晶硅清洗方法，不仅能够去除多晶硅表面的绝大部分杂质，而且还能去除多晶硅表面的油污和手印等有机物，从而可使清洗后的多晶硅表面的清洁度达到要求。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅清洗方法，其特征在于，包括：将多晶硅置于SC 1清洗液中对其进行第一次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行第一次漂洗；采用臭氧对所述多晶硅进行第一次干燥处理；将多晶硅置于硝酸和氢氟酸的混合溶液中对其进行第二次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行第二次漂洗。
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