[发明专利]硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用

摘要

本发明提供一种硅烷胍基复合阴离子膜及其制备方法和应用，该类膜由具有重复单元的无序体型硅烷胍类聚合物制备而成，由于含有大量的易传导阴离子的胍基团，同时硅烷的保水能力也提高了膜的离子传导能力，使膜具有电导率高的特点；硅烷胍与其他非传导离子介质复合后，具有优良的膜尺寸稳定性和机械强度，提高了膜的化学和机械稳定性。

主权项

1.硅烷胍基复合阴离子膜，其特征在于：由硅烷胍材料制备而成，所述硅烷胍材料为具有重复单元的无序体型聚合物构成，重复单元的结构可以相同也可不相同，结构式如下所示：其中，5＜n＜10⁸，R₁，R₂分别为如下结构中的一种或者几种，其中Q₁～Q₁₀分别为C_tH_2t+1中一种，t＝1-20；M^-为Br^-、Cl^-或OH^-；M₁，M₂，M₃可分别为A₁，A₁-A₂，A₁-A₂-A₃，A₁-A₂-A₃-A₄，...，A₁-A₂-...-A₉₉-A₁₀₀；其中A₁，A₂，A₃，A₄，A₅...A₉₈，A₉₉，A₁₀₀为如下结构中一种，n＝0-20；