[发明专利]功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺无效
| 申请号： | 201110187077.0 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102280384A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;张怡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了功率沟槽式MOS场效应管制作工艺，增加制作出的功率沟槽式MOS场效应管的栅氧化层底部拐角处及底部的厚度，降低泄漏电流，提高器件性能。本发明提供的一种功率沟槽式MOS场效应管制作工艺流程中，采用氧化速率受晶向影响较小或不受其影响的工艺制作栅氧化层，降低不同晶向上栅氧化层厚度的差异，提高栅氧化层质量，降低制作出的功率沟槽式MOS场效应管泄漏电流，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底中制作出沟槽；在沟槽表面及衬底表面制作牺牲氧化层；去除牺牲氧化层；采用化学气相沉积工艺在沟槽表面及衬底表面沉积栅氧化层；在栅氧化层上沉积多晶硅；去除沟槽外的栅氧化层及多晶硅；依次掺杂形成沟道区及源掺杂区，并完成栅电极、源电极和漏电极的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
