[发明专利]用于版图原理图一致性验证的MOS晶体管建模方法在审
| 申请号： | 201110187373.0 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102306210A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张昊;郑舒静 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于版图原理图一致性验证的MOS晶体管建模方法。在根据本发明的用于版图原理图一致性验证方法的MOS晶体管建模方法中，所述MOS晶体管具有深阱，所述MOS晶体管建模方法包括：为所述MOS晶体管建立一个MOS晶体管电路及衬底电路，其中MOS晶体管电路包括栅极、漏极、源极以及衬底极；并且所述衬底电路包括一个二极管，该二极管由P阱和深N阱构成。根据本发明第一方面的MOS晶体管建模方法，可以针对具有深N阱的MOS晶体管建立对于模拟应用情况和交流应用情况来说能够足够精确的模型，从而使得版图原理图一致性验证足够精确。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 版图 原理图 一致性 验证 mos 晶体管 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管建模方法，其中所述MOS晶体管具有深阱，其特征在于所述MOS晶体管建模方法包括：为所述MOS晶体管建立一个MOS晶体管电路及衬底电路，其中MOS晶体管电路包括栅极、漏极、源极以及衬底极；并且所述衬底电路包括第一二极管，该第一二极管由P阱和深N阱构成，其中所述第一二极管的输入端与所述MOS晶体管电路相连。
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