[发明专利]测试接口结构、测试电路以及测试方法有效
| 申请号： | 201110187374.5 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102354533A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 钱亮;索鑫;何军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了针对闪存记忆体测试的一种三个测试接口/焊盘的测试接口结构、测试电路以及测试方法。根据本发明的用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构包括：第一测试端口、第二测试端口以及第三测试端口，其中第一测试端口用于向闪存记忆体模块输入时钟信号；第二测试端口用于与闪存记忆体模块传递数据；第三测试端口用于执行三种功能。所述三种功能是对闪存记忆体模块输入输出高压信号、对闪存记忆体模块输入输出小电流信号、以及对闪存记忆体模块输入输出数字信号。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 接口 结构 电路 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构，其特征在于包括三个测试接口/焊盘，该三个测试接口/焊盘为：第一测试端口、第二测试端口以及第三测试端口，其中第一测试端口用于向闪存记忆体模块输入时钟信号；第二测试端口用于与闪存记忆体模块传递数据；第三测试端口用于执行三种功能。
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