[发明专利]CMOS图像传感器及制作方法有效
| 申请号： | 201110187406.1 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102222681A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 吴小利;唐树澍;张克云;周雪梅;巨晓华;饶金华 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种CMOS图像传感器及制作方法，其中，所述CMOS图像传感器至少包括光电二极管，其中，所述光电二极管中至少包含一条沟道，且在所述光电二极管垂直于轴向的横向方向上，所述沟道具有最大掺杂浓度。本发明所提供的CMOS图像传感器，通过新型的光电二极管结构，提高了光电二极管对光电子的转移能力，增加了光电子的扩散速度，减少了滞留在光电二极管的光电子数量，从而能够实现更为有效的光电子转移，进一步提升了CMOS图像传感器的图像品质、性能以及分辨率。此外，本发明还提供了一种CMOS传感器的制作方法，能够在未改变现有工艺步骤的前提下，实现上述CMOS结构，从而充分地利用了现有工艺技术，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，至少包括光电二极管，其特征在于，所述光电二极管中至少包含一条沟道，且在所述光电二极管垂直于轴向的横向方向上，所述沟道具有最大掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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