[发明专利]一种优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法，其整个过程采用的是高温恒温扩散工艺路线。步骤依次为：1）进行氧化：将硅片放入扩散炉中，温度控制在850℃~870℃并通入干氧和大氮，其中氧化时间为150s；2）第一次扩散：将温度控制在850℃~870℃并通入干氧，小氮，大氮，其中扩散时间为1700s；3）第二次扩散：将温度控制在830℃并通入大氮，扩散时间为150秒。用以上方法通过控制氧化层厚度来改善晶硅电池片内方块电阻均匀性。由于方块电阻均匀性得到了改善，电池性能如并联电阻和电池转换效率都有不同程度提高。此方法可在炉管中连续进行，既不增加工艺的复杂性，也不会增加生产成本。

主权项

一种优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法，其步骤主要分为以下四步。