[发明专利]光器件晶片的分割方法有效
申请号: | 201110188100.8 | 申请日: | 2011-07-06 |
公开(公告)号: | CN102315169A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 相川力 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 光器件晶片的分割方法,能够以断裂面与正面和背面垂直的方式沿着间隔道分割在蓝宝石基板的表面形成有光器件层的光器件晶片。其中,沿间隔道将光器件晶片分割成各个光器件,光器件晶片在由第1、第2间隔道划分的区域中形成有光器件,该分割方法包含:第1激光加工槽形成工序,从光器件晶片的正面或背面侧沿着第1间隔道照射激光光线,形成第1激光加工槽;第2激光加工槽形成工序,从光器件晶片的正面或背面侧沿第2间隔道照射激光光线,形成第2激光加工槽;第1断裂工序,沿光器件晶片的第1间隔道施加外力使光器件晶片断裂;第2断裂工序,沿光器件晶片的第2间隔道施加外力使光器件晶片断裂,第2激光加工槽的深度比第1激光加工槽的深度深。 | ||
搜索关键词: | 器件 晶片 分割 方法 | ||
【主权项】:
一种光器件晶片的分割方法,该分割方法沿着第1间隔道和第2间隔道将光器件晶片分割成各个光器件,其中,所述光器件晶片在形成有表示蓝宝石的结晶方位的定向平面的蓝宝石基板的正面,在由与定向平面平行的多个第1间隔道和与定向平面垂直的多个第2间隔道划分出的区域中,形成有光器件,该分割方法的特征在于,包含以下工序:第1激光加工槽形成工序,从光器件晶片的正面或背面侧沿着第1间隔道照射激光光线,在光器件晶片的正面或背面形成作为断裂起点的第1激光加工槽;第2激光加工槽形成工序,从光器件晶片的正面或背面侧沿着第2间隔道照射激光光线,在光器件晶片的正面或背面形成作为断裂起点的第2激光加工槽;第1断裂工序,沿着实施了该第1激光加工槽形成工序和该第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第1间隔道施加外力,使光器件晶片沿第1激光加工槽断裂,其中,该第1激光加工槽是沿着第1间隔道形成的;以及第2断裂工序,沿着实施了该第1激光加工槽形成工序和该第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第2间隔道施加外力,使光器件晶片沿第2激光加工槽断裂,其中,该第2激光加工槽是沿着第2间隔道形成的,该第2激光加工槽的深度被设定为比该第1激光加工槽的深度深。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110188100.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种治疗妇科术后腹胀的中药灌肠剂
- 下一篇:自动分析装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造