[发明专利]一种降低单耗的正面电极设计方法

摘要

本发明公开了一种降低单耗的正面电极设计方法，一种降低单耗的正电极设计方法，其特征在于，包括如下步骤，第一步：将正电极网版的线宽设置为50-90um；第二步：将主栅线设计成若干行，每行设计若干个小孔；第三步：主栅线四周与硅片边缘之间的距离为0.15-0.25mm；第四步：在主删线中间均匀分布孔径d为0.06mm至0.12mm的不同尺寸圆孔，相邻两排圆孔采用相间式排列，即一排N个孔，另一排N-1个孔；第五步：相邻两排孔的中心间距H为2d±0.005mm；第六步：同一排的相邻两孔的中心间距M为2d±0.005mm。采用本发明方法设计的正电极，实际印刷时成本降低约为3％至12％之间，转换效率维持不变或略有提高，且外观没有相应的变化。

主权项

一种降低单耗的正面电极设计方法，其特征在于，包括如下步骤，第一步：将正电极网版的线宽设置为50‑90um；第二步：将主栅线设计成若干行，每行设计若干个小孔；第三步：主栅线四周与硅片边缘之间的距离为0.15‑0.25mm；第四步：在主删线中间均匀分布孔径d为0.06mm至0.12mm的不同尺寸圆孔，相邻两排圆孔采用相间式排列，即一排N个孔，另一排N‑1个孔；第五步：相邻两排孔的中心间距H为2d±0.005mm；第六步：同一排的相邻两孔的中心间距M为2d±0.005mm。