[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法无效
| 申请号： | 201110189261.9 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315072A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 深谷康太;大野茂;福田正行 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术仪器 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置易于开始等离子体放电，或者能够抑制等离子体处理中由辅助等离子体导致的多余的电力消耗。本发明提供一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置具有：第1电极；在与上述第1电极之间生成等离子体的第2电极；在与上述第1电极之间生成等离子体的第3电极；气体导入部，在上述第1电极与第2电极之间的空间、及上述第1电极与第3电极之间的空间中导入气体；电压施加部，在上述第1电极与上述第2电极之间、及上述第1电极与上述第3电极之间施加电压；第1间隔改变部或第2间隔改变部，所述第1间隔改变部改变上述第1电极与第2电极之间的间隔，所述第2间隔改变部改变上述第1电极与第3电极之间的间隔；控制部，控制上述第1间隔改变部或第2间隔改变部的间隔改变操作和上述电压施加部的电压施加操作。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：第1电极；在与所述第1电极之间生成等离子体的第2电极；在与所述第1电极之间生成等离子体的第3电极；气体导入部，在所述第1电极与所述第2电极之间的空间、及所述第1电极与所述第3电极之间的空间中导入气体；和电压施加部，在所述第1电极与所述第2电极之间、及所述第1电极与所述第3电极之间施加电压，在所述等离子体处理装置中还具有：第1间隔改变部或第2间隔改变部，所述第1间隔改变部改变所述第1电极与所述第2电极之间的间隔，所述第2间隔改变部改变所述第1电极与所述第3电极之间的间隔；和控制部，控制所述第1间隔改变部或所述第2间隔改变部的间隔改变操作和所述电压施加部的电压施加操作。
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