[发明专利]一种读出电路偏置结构

摘要

本发明公开了一种读出电路偏置结构，包括第一MOS管、第二MOS管、参比电阻、热敏电阻、运算放大器，温度补偿电阻，第一电流源和第二电流源，第三MOS管和第四MOS管，其中温度补偿电阻一端连接于第一MOS管和第二MOS管之间，另一端连接第一电流源输出端，第一电流源输出端连接第三MOS管，第二电流源输出端连接第四MOS管，第四MOS管的漏极和栅极相连接并与第三MOS管的漏极连接，运算放大器的同相输入端连接在第一MOS管和第二MOS管之间，反相输入端通过一电阻连接在第二电流源的输出端，所述运算放大器的反相输入端和输出端间并联第一积分复用电容和第二积分复用电容。

主权项

一种读出电路偏置结构，包括第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、参比电阻（Rb）、热敏电阻（Rs）、运算放大器，其特征在于：还包括温度补偿电阻（Rts），低温漂的第一电流源（Isink1）和第二电流源（Isink2），第三MOS管（M3）和一第四MOS管（M4），其中温度补偿电阻（Rts）的一端连接于第一MOS管（M1）和第二MOS管（M2）之间，另一端连接第一电流源（Isink1）的输出端，第一电流源（Isink1）的输出端连接第三MOS管（M3），第二电流源（Isink2）的输出端连接第四MOS管（M4），所述第四MOS管（M4）的漏极和栅极相连接并与第三MOS管（M3）的漏极连接，运算放大器的同相输入端连接在第一MOS管（M1）和第二MOS管（M2）之间，反相输入端通过一电阻（RA）连接在第二电流源（Isink2）的输出端，所述运算放大器的反相输入端和输出端间并联第一积分复用电容（CINT_SH1）和第二积分复用电容（CINT_SH2）。