[发明专利]针状高纯硅聚集体的制备方法及其设备无效

专利信息
申请号: 201110189525.0 申请日: 2011-07-07
公开(公告)号: CN102351188A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 陈评;罗建平;陈树钦 申请(专利权)人: 陈评;罗建平;陈树钦
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 曹翠珍
地址: 211100 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种针状高纯硅聚集体的制备方法及其设备,制备方法是将硅颗粒与铝加入到坩埚内并加热到共熔点以上,形成熔融态不饱和硅铝合金溶液;加入钛和钙,保温2~8小时,以去除合金溶液中的硼、磷杂质;断开炉桶上部的加热器,或者在坩埚上部插入冷却棒,使坩埚内部形成上低下高的温度梯度,控制炉桶下部加热器功率使炉膛温度以每小时1~10℃的速率降低,启动旋转托盘,带动坩埚及坩埚底部桨叶转动,驱动坩埚底部与上部的熔体对流,使针状高纯硅聚集体在坩埚上部形成。本发明在单一区域内,制备出大块针状高纯硅聚集体,无须过滤即可从溶液中直接取出,节能环保、经济效益高。
搜索关键词: 针状 高纯 聚集体 制备 方法 及其 设备
【主权项】:
制备针状高纯硅聚集体的设备,包括:炉桶,炉桶的内壁设置保温材料,保温材料内侧设有加热器,其特征在于炉桶的底部设置旋转托盘,旋转托盘的上部安放坩埚,坩埚底部设有无杆搅拌桨叶,搅拌桨叶随坩埚转动;炉桶内、坩埚上方设置冷阱;所述冷阱通过将加热器沿着坩埚内壁从上至下非连续地分段设置,且结晶过程中关闭上部加热器的方式形成;或者冷阱是通过在坩埚内中上部插入冷却套筒形成,冷却套筒内设置钾钠合金高温热管,热管顶端安装冷却水管。
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