[发明专利]用于形成导电透明氧化物膜层的设备和方法有效
| 申请号： | 201110189804.7 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102312194A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | S·D·费尔德曼-皮博迪;R·W·布莱克 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明名称为用于形成导电透明氧化物膜层的设备和方法。大体上提供用于在衬底(12)上形成TCO层(14)的方法并且包括从包括锡酸镉的靶(64)在衬底(12)上溅射TCO层(14)。盖罩材料(例如，包括镉)沉积到间接退火系统的外表面上，并且该TCO层(14)可以在退火温度同时与该盖罩材料接触地或在该盖罩材料的大约10cm内退火。还大体上提供退火炉(100)并且包括限定沉积表面和退火表面的间接退火系统(124)使得沉积在该间接退火系统(124)的退火表面上的盖罩材料安置成与衬底(12)上的薄膜接触或在该薄膜的大约10cm内。盖罩材料源可以安置成将盖罩材料沉积到沉积表面上使得退火表面包括盖罩材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 导电 透明 氧化物 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底上形成透明导电氧化物层的方法，所述方法包括：从靶在衬底上溅射透明导电氧化物层，其中所述靶包括锡酸镉，并且其中所述透明导电氧化物层在大约10℃至大约100℃的溅射温度溅射；将盖罩材料沉积到间接退火系统的外表面上，其中所述盖罩材料包括镉；以及将所述透明导电氧化物层在大约500℃至大约700℃的退火温度同时与沉积在所述间接退火系统的外表面上的所述盖罩材料接触地或在所述盖罩材料的大约10cm内退火。
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