[发明专利]在衬底上RF溅射薄膜期间电弧检测和抑制的方法无效
| 申请号： | 201110189844.1 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315073A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | S·T·哈罗兰 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;H01J37/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明名称为“在衬底上RF溅射薄膜期间电弧检测和抑制的方法”。提供了在薄膜从半导体靶到衬底上的RF溅射期间电弧抑制的方法和系统。在溅射期间，RF频率的交流能够施加到半导体靶以形成等离子体。在从靶延伸的电弧形成时，能够检测到电弧特性，其中电弧特性由从初始溅射等离子体电压到电弧等离子体电压的减小的等离子体电压和从初始溅射反射功率到电弧反射功率的增大的反射功率来同时定义。在识别到电弧特性时，能够暂时中断到半导体靶的交流以抑制从靶延伸的电弧。之后，能够从电源重新施加交流到半导体靶。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 rf 溅射 薄膜 期间 电弧 检测 抑制 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜从半导体靶到衬底上的溅射期间的电弧抑制的方法，所述方法包括：将交流从电源施加到所述半导体靶以在所述衬底与所述半导体靶之间形成等离子体，其中所述交流具有大约500kHz到15MHz的频率；在从所述靶延伸的电弧形成时识别电弧特性，其中所述电弧特性由从初始溅射等离子体电压到电弧等离子体电压的等离子体电压的减小以及从初始溅射反射功率到电弧反射功率的反射功率的同时增大来定义；以及，在识别到所述电弧特性时，中断从所述电源到所述半导体靶的所述交流以抑制从所述靶延伸的所述电弧。
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