[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板及其制法。所述阵列基板包含薄膜晶体管及补偿电极。所述薄膜晶体管的栅极电极为扫描信号线的一部分并具有一开口，所述开口延伸至扫描信号线的一侧边。所述薄膜晶体管的漏极电极位置对应所述开口。所述薄膜晶体管的源极电极自数据信号线的一侧边延伸出并环绕漏极电极。补偿电极自扫描信号线的另一侧边延伸出而对应栅极电极。因此，本发明可减少漏极电极与栅极电极之间的寄生电容而不提高扫描信号线的阻值。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板包含：基板；扫描信号线，沿一水平方向设置于所述基板上，并具有一第一侧边与一相对于第一侧边的第二侧边；数据信号线，沿一垂直方向设置于所述基板上而与所述扫描信号线彼此绝缘交错；薄膜晶体管，形成于所述扫描信号线与所述数据信号线交叉处附近，并包含一栅极电极、一半导体层、一漏极电极及一源极电极，其中所述栅极电极为所述扫描信号线的一部分并具有一开口，所述开口位于所述栅极电极的中央并延伸至扫描信号线的第一侧边；所述半导体层绝缘地设于所述栅极电极上方；所述漏极电极设于所述半导体层上且位置对应所述栅极电极的开口；所述源极电极自所述数据信号线的一侧边延伸出，并沿着所述半导体层的边缘环绕所述漏极电极及所述栅极电极的开口；以及补偿电极，自所述扫描信号线的第二侧边一体延伸出并对应所述栅极电极。