[发明专利]扫描镀膜装置及扫描镀膜组件有效
申请号: | 201110190163.7 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102312212A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 赵军;梅芳 | 申请(专利权)人: | 上方能源技术(杭州)有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C16/54 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 311215 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于半导体,平面显示器和太阳能行业的镀膜生产的镀膜装置及镀膜组件。一种扫描镀膜装置,包括镀膜源、真空腔体室和基板传输模块,而所述镀膜源为PVD源、LPCVD源、PECVD源或ALD源;所述真空腔体室包围所述镀膜源;所述镀膜源的镀膜源工作面与水平面所成角度为α,65<α<90或90<α<115°。本发明的镀膜源与基板的相互位置关系以及镀膜源的结构使所述扫描镀膜装置实现了同时对移动中的两片无边框的基板连续进行沉积镀膜,使得生产效率加倍;大幅提高源材料利用率;镀膜源被两片基板包围,热量损失小,可减少所述扫描镀膜装置的腔体壁上形成的镀膜,装置内壁清洁。扫描镀膜组件可同时对多基板进行沉积镀膜,使得生产效率提高若干倍。 | ||
搜索关键词: | 扫描 镀膜 装置 组件 | ||
【主权项】:
一种扫描镀膜装置,包括镀膜源(1)、真空腔体室(2)和基板传输模块,其特征在于:所述镀膜源(1)为PVD源、LPCVD源、PECVD源或ALD源;所述真空腔体室(2)包围所述镀膜源(1);所述镀膜源(1)的镀膜源工作面(11)与水平面所成角度为α,65<α<90或90<α<115°。
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