[发明专利]一种导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201110191360.0 | 申请日： | 2011-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102358610A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;蒋亚东;徐建华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C08G61/12;C08G73/06 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杨保刚;徐丰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法，首先通过旋涂方法获得氧化剂薄膜，然后通过刻蚀的方法获得氧化剂一维纳米结构阵列，最后采用化学原位聚合的方法将获得的氧化剂一维纳米结构阵列暴露于导电聚合物单体气氛中引发聚合，从而获得导电聚合物一维纳米结构阵列。该方法所制备的聚合物纳米结构阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 聚合物 纳米 结构 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法，首先通过旋涂方法获得氧化剂薄膜，然后通过刻蚀的方法获得氧化剂一维纳米结构阵列，最后采用化学原位聚合的方法将获得的氧化剂一维纳米结构阵列暴露于导电聚合物单体气氛中引发聚合，从而获得导电聚合物一维纳米结构阵列，其特征在于，具体包括以下步骤：①将氧化剂FeCl3溶于有机溶剂中，形成氧化剂良好分散的溶液，②将氧化剂FeCl3溶液采用旋涂的方法在基片上获得均匀的氧化剂FeCl3薄膜；③将沉积于基片上的氧化剂薄膜采用刻蚀的方法获得氧化剂一维纳米结构阵列；④将获得的氧化剂一维纳米结构阵列暴露于导电聚合物单体气氛中引发聚合，得到导电聚合物一维纳米结构阵列，所述导电聚合物单体为导电聚合物单体为3,4‑乙烯二氧噻吩或吡咯；⑤将获得的导电聚合物一维纳米结构阵列在溶剂中进行清洗及烘干以驱除多余的氧化剂。
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