[发明专利]一种快恢复二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110191507.6 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102867849A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 盛况;朱江 | 申请（专利权）人： | 盛况 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310027 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快恢复二极管器件，还涉及一种快恢复二极管器件的制造方法；本发明将沟槽结构加入到传统侵入PN结的肖特基势垒的整流器(MPS)结构中，本发明的一种快恢复二极管器件与传统MPS器件相比具有更低正向压降和更高的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管，其特征在于：包括：衬底层，为第一导电类型半导体材料；漂移层，位于衬底层之上，为第一导电类型半导体材料；多个沟槽，位于漂移层表面；绝缘介质，位于沟槽与沟槽之间的半导体材料上表面和器件边缘表面；第一P型区，为第二导电类型半导体材料，被设置在临靠沟槽侧壁和绝缘介质的漂移层中；第二P型区，为第二导电类型半导体材料，被设置在临靠沟槽底部的漂移层中；肖特基势垒层，位于沟槽侧壁的第一导电类型半导体材料表面；分压环装置，为一个或多个沟槽，且整个临靠其沟槽的半导体材料被设置为第二导电类型半导体材料，位于如上所述的半导体装置周围。
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