[发明专利]半导体衬底的制造方法、半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110191546.6 | 申请日： | 2008-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102324398A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 掛端哲弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体衬底的制造方法、半导体装置及其制造方法，该半导体衬底的制造方法包括如下步骤：在单晶半导体衬底上形成第一绝缘膜；通过向所述单晶半导体衬底导入第一离子而在所述单晶半导体衬底中形成分离层；在所述第一绝缘膜中导入第二离子，其中所述第二离子是卤素离子；中间夹着第二绝缘膜地接合所述单晶半导体衬底和支撑衬底；进行加热处理，以单晶半导体膜残留在所述支撑衬底上的方式分离所述单晶半导体衬底，并由此使所述单晶半导体膜中包含所述卤素；以及在所述单晶半导体膜上进行化学机械抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 制造 方法 装置 及其 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：在单晶半导体衬底上形成第一绝缘膜；通过向所述单晶半导体衬底导入第一离子而在所述单晶半导体衬底中形成分离层；在所述第一绝缘膜中导入第二离子，其中所述第二离子是卤素离子；中间夹着第二绝缘膜地接合所述单晶半导体衬底和支撑衬底；进行加热处理，以单晶半导体膜残留在所述支撑衬底上的方式分离所述单晶半导体衬底，并由此使所述单晶半导体膜中包含所述卤素；以及在所述单晶半导体膜上进行化学机械抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
