[发明专利]水基6H-SiC单晶衬底化学机械抛光液及其制备方法无效
| 申请号： | 201110192011.0 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102337082A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 苏建修;高虹;郑素真;洪源;陈锡渠;杜家熙;付素芳;王占合 | 申请（专利权）人： | 河南科技学院 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 453003 河南省新*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种6H-SiC单晶片全局平面化的化学机械抛光液。它以球形微纳米颗粒为磨料，按重量百分比计，其成分包括0.2～10％的1～3种10～250纳米球形颗粒为磨料，0.05～15％分散稳定剂，0.05～25％具有化学作用的添加剂，0.001～5％的润滑剂，同时加入pH调节剂调至pH值为9.5～13.5，余量的为高纯去离子水。该抛光液去除率可控，抛光后晶片无损伤、平整度高，价格便宜，成本低。可用于硬脆性晶体材料中的CMP过程以及其他光学材料的精密化学机械抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 水基 sic 衬底 化学 机械抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种水基6H-SiC单晶衬底化学机械抛光液，其特征在于，其组分与重量百分比如下：![]()
磨料选用纳米SiO2水溶胶或Al2O3或纳米金刚石微粉之一或其混合物。
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