[发明专利]微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法无效
| 申请号： | 201110192471.3 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102381711A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 谢二庆;王江涛;侯晨光;赵长辉 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 李艳华 |
| 地址： | 730000 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法，该方法包括以下步骤：(1)将冶金级硅粉进行超声清洗后，室温下晾干，得到预处理硅粉；(2)将所述预处理硅粉放入微波等离子体提纯装置内的石英管中；(3)将所述石英管抽真空后，通过Ar气进气装置向所述石英管通入Ar气；(4)20分钟后，打开电源开关，开启微波发射源，进行Ar微波等离子体刻蚀实验，得到提纯后的冶金级多晶硅粉体；(5)刻蚀结束后，关闭所述电源开关及所述Ar气进气装置，待所述提纯后的冶金级多晶硅粉体自然冷却后取出，放入清洁无污染的环境中保存即可。本发明不但便于实现大规模的生产应用，而且有效降低了能耗及生产成本，同时也降低了提纯的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 等离子体 提纯 冶金 多晶 方法 | ||
【主权项】：
微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法，包括以下步骤：(1)将粒度为250目的冶金级硅粉进行超声清洗后，在室温下晾干，得到预处理硅粉；(2)将所述预处理硅粉放入微波等离子体提纯装置内的石英管(5)中；(3)将所述石英管(5)通过机械泵(7)抽真空至真空度为100Pa～350Pa后，通过Ar气进气装置(1)向所述石英管(5)通入纯度为99.995％的Ar气；(4)20分钟后，打开电源开关，开启微波发射源(4)，在Ar气流量为10～20sccm、微波功率为2450MHz、真空度为100～350Pa的条件下进行Ar微波等离子体刻蚀，刻蚀10～30分钟后，得到提纯后的冶金级多晶硅粉体；(5)刻蚀结束后，关闭所述电源开关及所述Ar气进气装置(1)，待所述提纯后的冶金级多晶硅粉体自然冷却后取出，放入清洁无污染的环境中保存即可。
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